直流偏磁状态下变压器结构件损耗计算及屏蔽措施分析-沈阳变压器研究院有限公司

变压器杂志

发布时间：2019-11-11 浏览次数：

刘加国，齐向，袁飞，张寒，张伟，荣鹏
（国网山东省电力公司泰安供电公司，山东泰安 271000）
摘要：针对变压器直流偏磁状态下的电磁特性，采用场路耦合结合三维有限元算法，分析了单相四柱变压器结构件漏磁场和损耗的变化。通过增加油箱壁磁屏蔽、铜屏蔽、复合屏蔽等多种形式，核算了不同屏蔽措施对结构件损耗值的影响。
关键词：变压器；直流偏磁；场路耦合；涡流损耗；屏蔽措施
中图分类号：ＴＭ４０1 文献标识码：Ｂ文章编号：１００１－８４２５（２０19）11－００57－０4
作者简介
刘加国（1964-），男，山东日照人，高级工程师。

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