张亚杰1，赵  峰2，任淑影1，张  栋2，侯义明1，陈  建1
（1.保定天威集团特变电气有限公司， 河北 保定 071056；
2.保定天威保变电气股份有限公司， 河北 保定 071056）

摘要：大型单相自耦变压器常常会有半匝效应，引起变压器损耗的异常增加。本文中作者通过对一台35kV三相五柱式变压器高压绕组首末端出头不在同一侧时的理论研究与仿真和测试结果，指出当绕组首末端出头不在同一侧时应注意半匝效应对损耗的影响。
关键词：变压器；三相五柱；半匝效应；仿真
中图分类号：ＴＭ４０1+.1      文献标识码：Ｂ      文章编号：１００１－８４２５（２０25）０3－００18－０6

作者简介：

张亚杰（通信作者）1973-，男，河北高阳人，正高级工程师，主要从事500kV级以下电力及特种变压器的设计开发与管理工作。