直流偏磁状态下变压器结构件损耗计算
及屏蔽措施分析
- 刘加国,齐 向,袁 飞,张 寒,张 伟,荣 鹏
(国网山东省电力公司泰安供电公司, 山东 泰安 271000)
- 摘要:针对变压器直流偏磁状态下的电磁特性,采用场路耦合结合三维有限元算法,分析了单相四柱变压器结构件漏磁场和损耗的变化。通过增加油箱壁磁屏蔽、铜屏蔽、复合屏蔽等多种形式,核算了不同屏蔽措施对结构件损耗值的影响。
关键词:变压器;直流偏磁;场路耦合;涡流损耗;屏蔽措施
中图分类号:TM401 文献标识码:B 文章编号:1001-8425(2019)11-0057-04
- 作者简介
刘加国(1964-),男,山东日照人,高级工程师。