杨家辉1，都兴双2，李洪春3，张俊杰1，苏晓龙4，胡  岭4

（1.南方电网科学研究院有限责任公司， 广东 广州 510663；2.常州思源东芝变压器有限公司， 江苏 常州 213000；3.三变科技股份有限公司， 浙江 台州 318000；4.南京立业电力变压器有限公司，

江苏 南京 210000）

摘要：本文作者选取典型的500 kV一级能效单相自耦变压器，开展针对不同结构漏磁屏蔽措施的三维有限元仿真分析，详细对比分析仅油箱磁屏结构、夹件磁屏加油箱磁屏结构、肺叶磁屏加油箱磁屏结构、压脚磁屏加油箱磁

屏结构四种漏磁屏蔽方式对结构件杂散损耗以及结构件的热点温升的影响，通过增加绕组端部漏磁的控制措施可有效解决结构件热点问题，且肺叶磁屏方式效果最好。仿真为变压器的热点温升控制提供基础理论数据，对此类变

压器的设计具有一定参考意义。

关键词：变压器；一级能效；漏磁

中图分类号：ＴＭ４０1+.2      文献标识码：Ｂ      文章编号：１００１－８４２５（２０26）０8－００43－０9

作者简介：

杨家辉1981-，男，广东韶关人，高级工程师，主要研究方向为变压器设计分析及专用软件开发。